Транзисторы для электронных модулей

SMD конденсаторSMD резисторВаристорыДиодИндуктивностьКонденсаторыМикросхемыПредохранителиПроцессорыРезисторыРелеСимисторыСтабилизаторыТранзисторы
Транзистор BC547

25 опт 15

Транзистор BC547

Транзистор для блока питания Arcadia<br /> <br /> <br /> <br /> #china
Транзистор BC557

25 опт 15

Транзистор BC557

Транзистор для блока питания Arcadia<br /> <br /> <br /> #china
2SC1623 SOT23

25 опт 15

2SC1623 SOT23

Полярность: NPN<br /> Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W<br /> Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V<br /> Макcимально д
MMBTA42 SOT23

25 опт 15

MMBTA42 SOT23

Полярность: NPN<br /> Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W<br /> Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V<br /> Макcимально
BC847B Транзистор NPN BC847B

25 опт 15

Транзистор NPN BC847B

Транзистор BC847B<br /> NPN<br /> 45 Вольт<br /> 0.2 Ампер<br /> 0.33 Ватт<br /> <br /> #smd<br /> #china
2N7002 SOT23

25 опт 15

2N7002 SOT23

Полярность: N<br /> Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W<br /> Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V<br /> Предельно допустимое н
SS8050 SOT23

25 опт 15

SS8050 SOT23

Структура npn<br /> Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 35<br /> Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнут
SI2305 SOT23

25 опт 15

SI2305 SOT23

Полярность: P-канал<br /> Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W<br /> Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V<br /> Предельно допус
SS9018 SOT23

25 опт 15

SS9018 SOT23

Полярность: NPN<br /> Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W<br /> Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V<br /> Макcимально до
MMBT2222A SOT23

25 опт 15

MMBT2222A SOT23

Полярность: NPN<br /> Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W<br /> Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V<br /> Макcимально д
MMBT3906 SOT23

25 опт 15

MMBT3906 SOT23

Полярность: PNP<br /> Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W<br /> Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V<br /> Макcимально до
MMBT3904 SOT23

25 опт 15

MMBT3904 SOT23

Полярность: NPN<br /> Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W<br /> Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V<br /> Макcимально до
SS8550 SOT23

25 опт 15

SS8550 SOT23

Cтруктура pnp<br /> Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40<br /> Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнут
C1815 SOT23

25 опт 15

C1815 SOT23

Полярность: NPN<br /> Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W<br /> Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V<br /> Макcимально до
A1015 SOT23

25 опт 15

A1015 SOT23

Полярность: PNP<br /> Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W<br /> Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V<br /> Макcимально до
bc327 Транзистор ВС327

25 опт 15

Транзистор ВС327

Структура pnp<br /> Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50<br /> Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнут
MMBT2907 SOT23

25 опт 15

MMBT2907 SOT23

Полярность: PNP<br /> Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W<br /> Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V<br /> Макcимально до
SS9013 SOT23

25 опт 15

SS9013 SOT23

Структура - n-p-n<br /> Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В<br /> Напряжение коллектор-база, не более: 45 В<br /> Напряжение эмиттер-база, не более
BC817 SOT23

25 опт 15

BC817 SOT23

Структура npn<br /> Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 45<br /> Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнут
C945 SOT23

25 опт 15

C945 SOT23

Полярность: NPN<br /> Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W<br /> Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V<br /> Макcимально до
Транзистор одно из важнейших полупроводниковое устройств(радиоэлемент), которое способно при небольшом входном сигнале управлять большими токами на выходе, эти свойства позволяет применять транзисторы в цепях для усиления, генерирования и коммутации сигналов. Транзисторы бывают биполярные и полевые, так же они могут внутри себя содержать целые цепи из транзисторов, такие полупроводниковые элементы называются составные транзисторы